IGBT電容器知識(shí)大全
IGBT緩沖保護(hù)電容器
1.什么是IGBT?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-絕緣柵雙極型電晶體,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
IGBT模組是由IGBT(絕緣柵雙極型電晶體晶片)與FWD(續(xù)流二極體晶片)通過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模組直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
IGBT模組具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模組化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模組;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見。
2.什么是吸收電容器?
在電子功率器件的應(yīng)用電路中,都必須要設(shè)計(jì)緩沖電路,即為-吸收電路。吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型電晶體(IGBT),消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓,避免絕緣柵雙極型電晶體的損壞。
適用于變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、軌道交通、混合動(dòng)力車、逆變焊機(jī)、太陽(yáng)能/風(fēng)力發(fā)電新能源裝備變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計(jì)及牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域遍及所有IGBT模組區(qū)域尖峰電壓的吸收保護(hù)。
佳名興在電子電路IGBT模組方面,推出高性能雙面金屬化聚丙烯膜緩沖吸收電容器-SMIT系列產(chǎn)品,該型號(hào)產(chǎn)品為針對(duì)IGBT模組而設(shè)計(jì),電容器可直接安裝在絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)模組上,容量由0.047uF至9.0uF,工作溫度范圍為-40℃至+110℃的環(huán)境下使用,可承受高脈沖和高鋒值電流,可減少當(dāng)切換IGBT所引起電壓和電流尖峰,這類型的尖峰是電磁干擾的(EMI)的重要來(lái)源,下列為SMIT產(chǎn)品規(guī)范說明:
①主要用途:
廣泛應(yīng)用于IGBT緩沖吸收
電力電子設(shè)備中,開關(guān)器件斷時(shí)的尖峰電壓和尖峰電流之吸收保護(hù)
②特點(diǎn):
損耗小,內(nèi)部溫升小
負(fù)電容量溫度系數(shù)
優(yōu)異的阻燃性能
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