金屬膜電容因?yàn)橛凶杂芰?，所以這類(lèi)電容器是當(dāng)前用途最廣泛也最具有未來(lái)市場(chǎng)的電容器。

  金屬膜電容的自愈有兩種不同的機(jī)理：一種是放電自愈；另一種是電化學(xué)自愈。前者發(fā)生在電壓較高下，所以也簡(jiǎn)稱(chēng)為高壓自愈；因?yàn)楹笳咴陔妷汉艿偷那闆r下也出現(xiàn)，所以常簡(jiǎn)稱(chēng)為低壓自愈。
1 放電自愈
  為了說(shuō)明放電自愈的機(jī)理，假設(shè)在兩個(gè)金屬化電極間的有機(jī)薄膜中某處有一疵點(diǎn)，其電阻為R。按疵點(diǎn)的性質(zhì)，它可能是金屬性疵點(diǎn)，也可能是半導(dǎo)體或劣質(zhì)絕緣性疵點(diǎn)。顯然，當(dāng)疵點(diǎn)是前一種時(shí)，在低電壓下，電容器就已經(jīng)發(fā)生放電自愈。而只有在后一種疵點(diǎn)情況下，才出現(xiàn)所謂高壓放電自愈。
放電自愈的過(guò)程是，在金屬膜電容上施加電壓V后，立刻有歐姆電流I=V/R通過(guò)疵點(diǎn)。因此流經(jīng)金屬化電極的電流密度J=V/Rπr2，即是在金屬化電極內(nèi)，離疵點(diǎn)越近的區(qū)域（即r越小），其電流密度越大。由于疵點(diǎn)功耗W=(V2/R)r引起的焦?fàn)枱?，是半?dǎo)體性或絕緣性疵點(diǎn)的電阻R成指數(shù)性下降。因此電流I和功耗W又迅速增大，結(jié)果在金屬化電極離疵點(diǎn)很近的區(qū)域中，電流密度J1= J=V/πr12急劇上升到其焦?fàn)枱崮軐⒃搮^(qū)金屬化層的熔化，引起電極間在此處飛弧，電弧很快蒸發(fā)和拋散掉該處熔融金屬，形成無(wú)金屬層的絕緣隔離區(qū)，電弧熄滅，實(shí)現(xiàn)自愈。

2 電化學(xué)自愈
  金屬膜電容在低壓下，常出現(xiàn)這種自愈。這種自愈的機(jī)理如下：若在金屬膜電容的介質(zhì)薄膜中有一疵點(diǎn)，在電容器上加上電壓以后（即使電壓很低），通過(guò)疵點(diǎn)將有較大的漏電流，表現(xiàn)為電容器的絕緣電阻遠(yuǎn)低于技術(shù)條件中的規(guī)定值。顯然，在漏電流中含有離子電流，也可能含有電子電流。因?yàn)楦鞣N有機(jī)薄膜都有一定的吸水率（0.01%~0.4%），且在電容器制造、儲(chǔ)存和使用過(guò)程中，電容器可能受潮，所以在離子電流中會(huì)有相當(dāng)一部分是因水被電解而產(chǎn)生的O2-離子和H-離子電流。O2-離子到達(dá)AL金屬化陽(yáng)極以后，與AL結(jié)合形成AL2O3。隨著時(shí)間的增長(zhǎng)，逐漸形成AL2O3絕緣層將疵點(diǎn)覆蓋和隔離，從而電容器絕緣電阻大為提高，達(dá)到自愈。
  金屬膜電容要完成自愈，需要一定的能量，這是顯而易見(jiàn)的。其能量有兩個(gè)來(lái)源，一個(gè)是來(lái)自電源，另一個(gè)是來(lái)自疵點(diǎn)部分金屬的氧化和氮化放熱反應(yīng)，對(duì)自愈所需要的能量常稱(chēng)為自愈能量。

3 自愈的利弊
  金屬膜電容的最大特點(diǎn)是具有自愈能力，因此自愈所帶來(lái)的好處是主要的，但是，它也有不利之處，其中最大的害處就是自愈時(shí)造成電流脈沖，給電路帶來(lái)信號(hào)干擾，降低電路的重要性能——信噪比。所以對(duì)于一些要求特別高的電路，如高保真音響電路、高精度通信電路等，不能讓有機(jī)薄膜電容器在工作時(shí)發(fā)生自愈。
  自愈的另一害處，是使用電容器的容量逐漸減少。若電容量在工作時(shí)，自愈次數(shù)很多，就會(huì)導(dǎo)致其容量和絕緣電阻顯著變小、損耗角大幅度上升，使電容器很快失效。