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如何清除IGBT寄生米勒效應(yīng)電容問題

文章出處:網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:人氣:-發(fā)表時間:2020-12-03 17:13:00【

 米勒效應(yīng)所產(chǎn)生的電容和峰值問題在日常工作中,屬于一種比較常見的情況。在IGBT模塊操作中,如果沒有及時處理米勒電容問題,很容造成IGBT損壞。那么,寄生米勒電容有哪些危害?工程師應(yīng)該如何快速的清除IGBT寄生米勒電容問題呢?就讓我們通過下文進行詳細(xì)的分析和介紹。


在日常的工作過程中,IGBT模塊操作時一旦出現(xiàn)了米勒效應(yīng)的寄生電容問題,往往見于明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動器,也就是工程師們常說的單電源驅(qū)動器。門集-電極之間的耦合在IGBT關(guān)斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通,也就是門集電壓尖峰,這對于IGBT乃至整機來說,都是一種潛在的危險。

 

 

通常情況下,為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生,國內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容,第二是通過使用負(fù)門極驅(qū)動。如果使用第一方案,那么很容易造成效率的降低,而第二個方案則需要考慮到額外費用和成本問題,工程師需要依據(jù)實際情況進行比較和判斷。


目前業(yè)內(nèi)所采用通過縮短門極—發(fā)射極的路徑,用一個晶體管放在門極—發(fā)射極之間是一種比較常用的方法。這種方法在達到一定的閾值之后,晶體管將造成門極—發(fā)射極地區(qū)的短路。我們將這種加入額外晶體管的技術(shù)稱之為源米勒鉗位,這種辦法是能夠有效消除米勒效應(yīng)產(chǎn)生的寄生電容問題。


結(jié)語

 

工程師在了解了米勒效應(yīng)寄生電容所產(chǎn)生的根本原因之后,可以因地制宜的進行解決方案的選擇。及時消除米勒電容問題可以充分保證IGBT的正常工作運轉(zhuǎn),也能夠有效的提升機體工作時長和工作效率。

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